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Deep Level Defects In Electron-irradiated Aluminum Gallium Nitride Grown By Molecular Beam Epitaxy

Michael R Hogsed
26 octobre 2012
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Description

Convient aux personnes de
Langue
anglais
Pages
208
Publié par: Creative Media Partners, LLC
Dimensions à l’expédition: 10" H x 7" W x 1" L
ISBN: 9781286861233
Étape de vie: null

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