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Aperçu gratuit du livre Ferroelectric-gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics And Applications

Ferroelectric-gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics And Applications

Byung-eun Park Édition : Hiroshi Ishiwara , Masanori Okuyama
18 avril 2021
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Description

Convient aux personnes de
Langue
anglais
Pages
347
Topics in Applied Physics
Publié par: Springer Nature
Dimensions à l’expédition: 9" H x 6" W x 1" L
ISBN: 9789402414165
Étape de vie: null

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hiroshi ishiwara

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